Silicium-Metall Nanostrukturen mit ultrahoher Absorption im infraroten Strahlungsbereich

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Im Folgenden stellen wir unsere Untersuchungen zu den optischen Eigenschaften von mit Ti oder Ni beschichteten Siliciummikrostrukturen im infraroten Strahlungsbereich vor. Mittels Deep Reactive Ion Etching (DRIE) wurde das Silicium durch einen selbstmaskierenden Prozess geätzt, in dessen Folge nadelartige, nichtperiodische Mikrostrukturen entstehen. Mittels Elektronenstrahlverdampfen wurden diese Siliciummikrostrukturen mit Ni oder mit Ti bedampft. Dabei wurde der Einfluss der Abscheiderate und der äquivalenten Schichtdicke auf die Struktur und die optischen Eigenschaften der resultierenden Nanostrukturen untersucht. Die hemisphärische spektrale Absorption bzw. Emission wurde aus den Messungen der hemisphärischen spektralen Transmission und Reflexion berechnet und erreicht einen Wert bis zu 0,977 im Bereich zwischen 800 nm und 2000 nm Wellenlänge.