AMR vs. GMR vs. TMR – Eigenschaften, Unterschiede, Anwendungen

Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland

Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013

Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Doms, Marco; Paul, Johannes; Lehndorff, Ronald; Grimm, Hubert (Sensitec GmbH, Mainz, Deutschland)

Inhalt:
Magnetoresistive (MR) Sensoren werden heute in vielen Anwendungen und Märkten eingesetzt. Zu den typischen Anwendungen gehören die Positions-, Winkel-, Magnetfeld-, und Stromsensorik. Der MR-Effekt beschreibt die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit in Abhängigkeit das angelegten magnetischen Feldes. Für Sensor-Anwendungen wird heute vornehmlich der anisotrope MR-Effekt (AMR) verwendet. GMR (Giant Magneto Resistance) und TMR (Tunneling Magneto Resistance) sind die beiden anderen derzeit industriell für Sensoranwendungen genutzten Effekte. Die Frage welcher dieser Effekte für Sensoranwendungen am besten geeignet ist, wird zwar oft gestellt, ist aber nur abhängig von der konkreten Anwendung sowie oftmals dem Zielmarkt zu beantworten. Im vorliegenden Beitrag sollen die Eigenschaften und Unterschiede zwischen den drei oben genannten Effekten sowie mögliche Vorteile für spezifische Anwendungen dargestellt werden.