CMOS basierte Mikrosystemplattformen - Integrierte Hochfrequenz-, MEMS- und Photonic-Module

Inhalt:
Dieser Artikel beschreibt die monolithische Integration unterschiedlicher Bauelemente in CMOS-Technologien mit Strukturniveaus von 0.13 µm und 0.25 µm. Hochfrequenzbauelemente, wie Silizium-Germanium Heterobipolartransistor (SiGe-HBT) mit maximalen Schwingfrequenzen von 0.5 THz, Leistungsbauelemente, wie komplementäre MOS-Transistoren mit lateral erweitertem Draingebiet (LDMOS) und mikro-elektromechanische Systeme, wie ein MEMS-Schalter für 90 GHz Anwendungen, werden präsentiert. Zudem wird die Integration von photonischen Elementen an-hand von Wellenleitern und Ge-Photodetektoren demonstriert.