Erweiterungen und Anwendungen der BDRIE-Technologie zur Herstellung hermetisch gekapselter Sensoren mit hoher Güte

Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland

Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013

Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Hiller, K.; Hahn, S. (TU Chemnitz, Zentrum für Mikrotechnologien, Reichenhainer Str. 70, 09126 Chemnitz, Deutschland)
Küchler, M.; Billep, D.; Forke, R.; Geßner, T. (TU Chemnitz, Zentrum für Mikrotechnologien, Reichenhainer Str. 70, 09126 Chemnitz, Deutschland )
Köhler, D.; Konietzka, S.; Pohle, A. (EDC Elektronik Design Chemnitz GmbH, 09126 Chemnitz, Deutschland)

Inhalt:
Dieser Artikel beschreibt technologische Weiterentwicklungen und Anwendungen der sogenannten BDRIE-Technologie (Bonding and Deep RIE) als Si-Si bzw. Si-Glas-Variante zur Herstellung präziser Sensoren und Aktuatoren. Die technologischen Weiterentwicklungen betreffen insbesondere die optionale Integration vertikal gestufter Elektroden, unterliegender metallischer Elektroden oder Verbindungleitungen, Ätzschutzschichten und Dünnfilm-Getterschichten sowie die Realisierung von Durchkontaktierungen in Glassubstraten. Beispielhaft werden hermetisch gekapselte Inertialsensoren mit Resonatoren hoher Güte präsentiert.