Entwicklung eines SiC basierten Leistungswandlermoduls

Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland

Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013

Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Knoll, Heiko (IXYS Semiconductor GmbH, Lampertheim, Deutschland)

Inhalt:
Seit einigen Jahren sind von unterschiedlichen Herstellern SiC-Schalter (FET) und SiC-Schottky Dioden verfügbar. Die theoretisch besseren Eigenschaften des SiC gegenüber dem Silizium, insbesondere bei hohen Schaltgeschwindigkeiten, können nun auch in konkrete Leistungsmodule umgesetzt werden. In diesem Beitrag werden prinzipielle Aspekte bezüglich der Entwicklung von SiC-Leistungsmodulen betrachtet.