Effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik
Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland
Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Waltereit, Patrick; Reiner, Richard; Müller, Stefan; Czap, Heiko; Mikulla, Michael; Ambacher, Oliver (Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, Deutschland)
Inhalt:
Wir zeigen Ergebnisse von Galliumnitrid-basierten Hochvolttransistoren für die Leistungselektronik. Die statischen und dynamischen Eigenschaften der Transistoren auf Silizium-Substraten werden untersucht. Diese Technologie zeigt Durchbruchspannungen von 1000 V und Ausgangströme von knapp 100 A sowie ein deutlich kleineres Produkt von Einschaltwiderstand und Gateladung als bisherige Si-basierte Bauelement. Dadurch können GaN-Transistoren bei deutlich höheren Taktfrequenzen betrieben werden, was das Gesamtsystem kleiner, leichter und kostengünstiger macht.