Anwendung eines HF-Gasphasenätzprozesses zum Freilegen von monolithisch integrierten RF-MEMS-Schaltern
Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland
Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Göritz, A.; Fraschke, M.; Drews, J.; Wietstruck, M.; Tolunay, S.; Kaynak, M. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Deutschland)
Tillack, B. (AG Mikrosystemtechnik, Westsächsische Hochschule Zwickau, Dr.-Friedrichs-Ring 2a, 08056 Zwickau, Deutschland )
Inhalt:
Für das Freilegen von monolithisch integrierten RF-MEMS-Schaltern wurde ein HF-Gasphasenätzprozess für SiO2 entwickelt, der höhere Ätzraten und eine deutlich höhere Selektivität zur AlCu-Schaltermembran als der bisher genutzte Nassätzprozess liefert. Es wurden zunächst Ätzversuche an PECVD-TEOS-Oxid durchgeführt, um die Abhängigkeiten des Ätzabtrages von verschiedenen Prozessparametern zu ermitteln. Ausgehend davon wurde der optimale Arbeitspunkt für den RF-MEMS-Freilegungsprozess ermittelt. Durch Einsparen einer getemperten Lackmaske, entfallende Reinigungs- und Trocknungsschritte und auch durch die höhere Ätzrate konnte die Gesamtprozesszeit, verglichen zum bisher genutzten Nassätzprozess, um den Faktor 10 reduziert werden.