Monolithisch-integrierte Through-Silicon Vias für Grounding, Power Distribution Networks und System-on-Chip Anwendungen
Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland
Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Wietstruck, M.; Kaynak, M.; Marschmeyer, S.; Göritz, A.; Tolunay, S. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Deutschland)
Tillack, B. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Deutschland )
Inhalt:
In der vorliegenden Arbeit wird eine Technologie zur Integration von Through-Silicon Vias (TSV) in eine BiCMOS Technologie gezeigt. Anhand von Simulationen wird der Einfluss des TSV Design auf den parasitären Widerstand und die Induktivität analysiert. Mit einem Flächenbedarf von 25x25 µm2/ Via können minimale Widerstände <20 mOmega und Induktivitäten <20 pH erreicht werden. Es wird deutlich, dass bei der Auswahl der TSV Struktur neben der elektrischen Performance die technologische Realisier- und Integrierbarkeit im Schaltkreis-Layout beachtet werden muss. Bei Verwendung von TSVs für Power Amplifier und Power Distribution Networks kann mit den gezeigten elektrischen Eigenschaften im Vergleich zu Bondverbindungen eine deutliche Verbesserung der Schaltkreisperformance erreicht und gleichzeitig die Chipfläche entscheidend minimiert werden.