Inkjet-gedruckte Diffusionsbarriere gegen Diffusion aus dotierten PECVD-Silikatgläsern
Konferenz: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
14.10.2013 - 16.10.2013 in Aachen, Deutschland
Tagungsband: Mikrosystemtechnik 2013
Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Stüwe, David; Keding, Roman; Hahn, David; Clement, Florian; Hofmann, Marc; Biro, Daniel (Fraunhofer Institute für Solare Energie Systems ISE, Freiburg, Deutschland)
Woehl, Robert (Fraunhofer Institute für Solare Energie Systems ISE, Freiburg, Deutschland )
Korvink, Jan G. (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg IMTEK, Deutschland)
Tüshaus, Christian; Doll, Oliver; Stockum, Werner; Köhler, Ingo (MERCK KGaA, Darmstadt, Deutschland)
Inhalt:
In dieser Arbeit wird die mittels Inkjet druckbare Diffusionsbarriere isishape(r) SolarResist(TM) auf ihre Barrierewirkung gegenüber der Diffusion aus Bor-(BSG) und Phosphorsilikatgläsern (PSG) untersucht, die mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD) abgeschieden werden. Der direkte Druck einer Diffusionsbarriere ermöglicht das Erstellen von strukturierten dotierten Bereichen ohne aufwändige Maskierungs- und Ätzschritte von Diffusionsbarrieren, Diffusionsquellen oder bereits dotierten Bereichen. Die vor der Diffusion geschützten Bereiche werden hinsichtlich ihres Schichtwiderstandes untersucht. Für Diffusionen aus BSG konnte bei Plateauzeiten von 30 Minuten eine vollständige Barrierewirkung bei Temperaturen von bis zu 1050 °C erreicht werden. Bei Diffusionen aus PSG konnte eine Barrierewirkung bei Temperaturen von 850 °C erreicht werden.