Hochintegration von Ladungspumpenarchitekturen in Hochvolt-CMOS-Technologien

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Akkubetriebene Mobilgeräte mit geringen Betriebsspannungen enthalten vermehrt komplexe SoCs (System-on-Chip), die Hochspannung erfordern. In vorherigen Arbeiten wurde eine innovative 4-Phasen Ladungspumpe entwickelt und in zwei CMOS-ASICs erfolgreich implementiert. Aufbauend darauf werden im Folgenden verschiedene Methoden zur Hochintegration der Ladungspumpe, wie z.B. Erhöhung der Taktfrequenz, Optimierung der Treiberstufen sowie eine geeignete Wahl der Strukturgröße behandelt. Alternativ zur konventionellen CMOS-Technologie werden außerdem SOI und 3D-Integration hinsichtlich der Integrationsdichte betrachtet.