Gesputterte Germanium-Dünnfilme auf flexiblen transparenten Substraten für elektro-optische Applikationen

Inhalt:
In dieser Arbeit wurden die Einflüsse von Prozessparametern beim Magnetronsputtern zur Herstellung von Germaniumschichten untersucht. Hierfür wurden zunächst die Sputterraten, -Temperaturen sowie die Schichteigenschaften von Germanium auf Siliziumwafern untersucht. Die abgeschiedenen Schichten wurden mit dem Waferbow auf intrinsische Spannungen untersucht. Die Kristallographie des abgeschiedenen Materials ist mittels Röntgendiffraktometer ermittelt worden. Die Homogenität ist am Elektronenrastermikroskop mit Hilfe eines fokussierten Ionenstahls (FIB) nach lokaler in situ Platinabscheidung überprüft worden. Die Möglichkeit der nachträglichen Änderung der Kristallstruktur wurde mittels Tempern überprüft.