Thermisches Verhalten von SiCer – ein innovatives Verbundsubstrat für MEMS

Inhalt:
Es wird das thermische Verhalten eines Silizium-Keramik-Verbundsubstrat vorgestellt, was mit Hilfe der „SiCer-Technologie“ hergestellt wird. Das Verbundsubstrat erlaubt die vorteilhafte Kombination der Silizium-MEMS-Technologie mit der LTCC-Technologie und stellt dadurch die Grundlage für ein neues Technologie-Konzept dar. Die Technologie zur Herstellung des Silizium-Keramik-Verbundsubstrats (100-mm-Wafer), insbesondere der Aufbau der Testsubstrate zur Bestimmung des thermischen Verhaltens von SiCer wird erläutert. Zur Temperatur-Einprägung und Messung (Simulation einer Verlustleistung) wird ein thermischer Testchip (PST 1, Delphi) eingesetzt. Hierzu werden Möglichkeiten für Aufbau- und Verbindungstechniken zur Montage der Chips auf SiCer diskutiert. Es wird eine Messanordnung zur Bestimmung von thermischen Widerständen an SiCer-Substraten vorgestellt. Die ermittelten thermischen Widerstände in Abhängigkeit von Durchmesser, Anzahl, und Anordnung thermischer Vias sowie der Einsatz eines Wärmebild-Messsystem werden diskutiert.