Magnetischer Formgedächtnisaktor mit intrinsischer Lagesensorik

Konferenz: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
26.10.2015 - 28.10.2015 in Karlsruhe, Deutschland

Tagungsband: MikroSystemTechnik 2015

Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Yin, R.; Wendler, F.; Kohl, M. (Karlsruher Institut für Technologie (KIT), IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe, Deutschland)

Inhalt:
Diese Arbeit beschreibt Design, Herstellung und Charakterisierung eines Linearaktors basierend auf dem magnetischen Formgedächtnis-(MSM-)Effekt und einer intrinsischen Lagesensorik, die auf der Messung des lageabhängigen elektrischen Widerstandes des Formgedächtnismaterials beruht. Der MSM-Effekt erlaubt große Dehnungsänderungen durch Magnetfeld- oder Last-induzierte Umorientierung von Martensitvarianten bei kurzen Schaltzeiten im ms-Bereich und hohe Zyklenzahlen >108. In dieser Arbeit wird ein kontinuierlich positionierbarer Aktor aus einkristallinem Ni-Mn-Ga entwickelt, der mit einem Magnetfeld von 450 mT und einer Last von 1.21 MPa 3.9 % reversible Dehnung erzielt. Die gute Korrelation des elektrischen Widerstands des Materials mit der Dehnung ermöglicht den Verzicht auf eine externe Sensorik und damit kompakte Designs für Schalt- und Positionieranwendungen.