Aluminiumnitrid Membranen mit vergrabenen IDT für neuartige Membranbiegeschwinger
Konferenz: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
26.10.2015 - 28.10.2015 in Karlsruhe, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik 2015
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Reusch, Markus; Schilling, Claudia; Ambacher, Oliver (Universität Freiburg, IMTEK - Institut für Mikrosystemtechnik, Lehrstuhl für Verbindungshalbleiter, Georges-Köhler-Allee 103, 79110 Freiburg, Deutschland)
Katus, Philip; Reindl, Leonhard (Universität Freiburg, IMTEK - Institut für Mikrosystemtechnik, Lehrstuhl für Elektrische Mess- und Prüfverfahren, Georges-Köhler-Allee 106, 79110 Freiburg, Deutschland)
Holc, Katarzyna; Pletschen, Wilfried; Kirste, Lutz; Ambacher, Oliver; Lebedev, Vadim (Fraunhofer Institut für angewandte Festkörperphysik IAF, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Deutschland)
Inhalt:
Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt in der Herstellung und Charakterisierung von piezoelektrischen Aluminiumnitrid (AlN) Membranen für neuartige Membranbiegeschwinger (engl. flexural plate-wave, FPW) mit vergrabenen Interdigitalwandlern (IDT) zur Sensorik in Flüssigkeit. Die Herstellung der AlN-Membranen erfolgte mittels etablierten Mikrofertigungsverfahren wie reaktivem Magnetronsputtern, UV-Fotolithografie und reaktivem Ionentiefenätzen. Die elektro-akustischen Eigenschaften der hergestellten Resonatoren und Verzögerungsleitungen wurden anhand von Laser-Doppler-Vibrometer-Messungen bewertet. Des Weiteren wurden umfangreiche Untersuchungen wie Röntgenbeugung (XRD) und konfokale Raman-Spektroskopie zur Evaluation der Materialeigenschaften durchgeführt.