Auswirkungen von Reflexen an Seitenwänden von Goldabsorbern in der Röntgentiefenlithographie
Konferenz: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
26.10.2015 - 28.10.2015 in Karlsruhe, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik 2015
Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Last, A.; Börner, M.; Marschall, F.; Meyer, P.; Márkus, O.; Georgi, S.; Mohr, J. (Karlsruhe Institut für Technologie, Institut für Mikrosystemtechnik, Kaiserstr. 12, 76131 Karlsruhe, Deutschland)
Simon, M. (PI miCos GmbH, Freiburger Str. 30, 79427 Eschbach, Deutschland)
Inhalt:
Die Qualität röntgentiefenlithografisch gefertigter Mikrostrukturen hängt von einer Vielzahl von Parametern ab wie beispielsweise der Strukturgeometrie, dem Aspektverhältnis der gefertigten Strukturen, den Resisteigenschaften und der Resisthöhe, dem genutztem Röntgenspektrum und dem Kontrast der Röntgenabsorbermaske. Hier wird ein weiterer Effekt diskutiert, der auf Reflexionen des Röntgenlichts an den Seitenwänden der Absorberstrukturen in der Röntgenabsorbermaske zurückgeführt werden kann. Dieser Effekt kann zum Auftreten unerwünschter Nebenstrukturen führen.