Kupfer-Dickfilmstrukturen für Silizium-Karbid Leistungsmodule mit hoher Integrationsdichte

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Leistungselektronikmodule bilden das Herz der elektronischen Energiewandlung und sind daher essentieller Bestandteil von Systemen aus den Bereichen erneuerbare Energien, Energieverteilungsnetze und der Elektromobilität. Im Vergleich zu kommerziell erhältlichen Modulen basiert die hier vorgestellte Modulstruktur nicht auf DCB-Substraten, sondern auf Leiterstrukturen, die mit Hilfe der Kupferdickfilmtechnik hergestellt wurden. Die vorliegende Arbeit umfasst die thermische Simulation des Wärmespreizverhaltens von Kupferdickschichten und informiert über den Herstellungsprozess eines Leistungsmoduls basierend auf dieser Technologie. Da schnell schaltende Silizium-Karbid Leistungshalbleiter zum Einsatz kommen, wird besonderer Wert auf eine niederinduktive Auslegung des Leistungskreises gelegt, was insbesondere durch die Integration von keramischen Zwischenkreiskondensatoren gelingt.