Waferlevel AVT mit Pd/Al-integrierten reaktiven Multilagensystemen
Konferenz: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
26.10.2015 - 28.10.2015 in Karlsruhe, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik 2015
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Vogel, Klaus; Roscher, Frank; Hertel, Silvia; Wiemer, Maik; Geßner, Thomas (Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Chemnitz, Deutschland)
Inhalt:
Das Paper fokussiert auf ein neues und innovatives Fügeverfahren zur Integration heterogener Materialien auf Waferlevel mittels integrierter reaktiver Multilagensysteme (iRMS). Die zum Fügen von Substraten benötigte Energie wird dabei durch eine selbstausbreitende exotherme Reaktion lokal in unmittelbarer Nähe zum Bondinterface erzeugt, wodurch ein globales Aufheizen der Substrate vermieden werden kann. Neben Ansätzen zur Abscheidung der iRMS mittels Sputtern und Galvanik sowie der Strukturierung der Multilagensysteme werden Ergebnisse zur Bewertung der Festigkeit, Hermetizität und Langzeitstabilität vorgestellt. So erreichen Pd/Al iRMS gebondete Verbunde Scherfestigkeiten bis 300 N/mm2 und können mit einer Leckrate von 9,3*10-3 mbar *l/s als hermetisch dicht klassifiziert werden.