Beschleunigte Zuverlässigkeitsuntersuchung von Siliziumnitrid bei schmalbandiger UV-Bestrahlung
Konferenz: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
26.10.2015 - 28.10.2015 in Karlsruhe, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik 2015
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Schmidt, A.; Dreiner, S.; Vogt, H.; Paschen, U. (Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS, Finkenstr. 61, 47057 Duisburg, Deutschland)
Inhalt:
Es wird ein Verfahren für eine beschleunigte optische Zuverlässigkeits-Untersuchung an Siliziumnitrid (SiN) vorgestellt. Dazu wurde ultraviolette (UV) Strahlung eines Lasers (248 nm) sowie einer Leuchtdiode (LED, 285 nm) verwendet. Bei einer konstanten Energie-Dosis wurden die Laser-Strahlungsleistung und -Frequenz variiert. Die Transmission des SiN und die Quanteneffizienz (QE) von Photodioden mit SiN-Passivierung wurden vor und nach Bestrahlung untersucht. Die Untersuchung hat gezeigt, dass UV-Bestrahlung die Photodioden schädigt und deren QE verringert. Im Fall der LED ist keine signifikante Veränderung der Transmission vom SiN festzustellen. Die Bestrahlung durch den Laser führt zu einer erhöhten Transmission des SiN im Bereich der Bestrahlungs-Wellenlänge. Die Laser-Bestrahlung beeinflusst die Transmission thermisch und optisch. Folglich muss die Laser-Strahlungsleistung angepasst werden, um den rein optischen Einfluss isoliert betrachten zu können.