Aktuelle Fortschritte bei MOS-gesteuerten Si-Leistungshalbleitern im Spannungsbereich bis 1200 V

Konferenz: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017 - 7. ETG-Fachtagung
06.04.2017 - 07.04.2017 in Bad Nauheim, Deutschland

Tagungsband: ETG-Fb. 152: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017

Seiten: 8Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Mauder, Anton (Infineon Technologies AG, Neubiberg, Deutschland)

Inhalt:
In den letzten Jahren konnten bei IGBTs und MOSFETs die um die Jahrtausendwende eingeführten grundlegenden Strukturmerkmale Trenchgate-Zelle und Feldstopp bzw. Kompensationsprinzip deutlich weiterentwickelt werden. Fortschritte in der Technologie zur Herstellung der Bauelemente ermöglichten bei Trench-IGBTs und Superjunction-MOSFETs einen reduzierten Zellabstand mit signifikant niedrigeren Durchlassverlusten und gleichzeitig verbessertes Schaltverhalten. Parallel treten Randbedingungen aus der Applikation als Hürden zur weiteren Verbesserung der Leistungsschalter und zur Reduzierung der Verluste immer deutlicher in Erscheinung.