SiC-Trench-MOSFETs als „Motor“ für zukünftige E-Antriebe

Konferenz: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017 - 7. ETG-Fachtagung
06.04.2017 - 07.04.2017 in Bad Nauheim, Deutschland

Tagungsband: ETG-Fb. 152: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017

Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Heyers, Klaus; Schwaiger, Stephan; Banzhaf, Christian; Grieb, Michael (Robert Bosch GmbH, Reutlingen, Germany)

Inhalt:
SiC-MOSFETs können dazu beitragen, die Herausforderungen der zukünftig immer bedeutender werdenden Welt der Elektro-Mobilität zu erfüllen. Der Beitrag erläutert die Potenziale des wide-bandgap Halbleiters SiC bei der Reduzierung von Energieverbrauch, Baugröße und Gewicht bei der Elektrifizierung des Antriebsstrangs. Um dieser Technologie zum Durchbruch zu verhelfen, sind weitere Fortschritte, z.B. durch Reduzierung des flächenspezifischen Widerstands, Erhöhung der Qualität der Substrate, Verringerung der Defektdichte der MOS-Struktur sowie Entwicklung geeigneter Integrationskonzepte notwendig.