Hochsperrende SiC-Bauelemente und deren Anwendung in der Leistungselektronik für Mittelspannungsnetze

Konferenz: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017 - 7. ETG-Fachtagung
06.04.2017 - 07.04.2017 in Bad Nauheim, Deutschland

Tagungsband: ETG-Fb. 152: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017

Seiten: 12Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Kranzer, Dirk; Thoma, Jürgen; Hensel, Andreas; Derix, David; Volzer, Benjamin (Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE, Freiburg, Deutschland)

Inhalt:
In dieser Veröffentlichung wird näher auf die Eigenschaften von hochsperrenden Siliziumkarbid (SiC) Bauelementen eingegangen. Hierbei werden Messergebnisse zu 15 kV SiC MOSFETs, IGBTs und Schottky-Dioden gezeigt und aus Sicht einer möglichen Anwendung in der Leistungselektronik bewertet. Es werden die Eigenarten der Bauelemente beschrieben, die Tücken, die sich bei der Handhabung ergeben und wie die Herausforderungen für die Entwicklung eines dreiphasigen 10 kV Mittelspannungsumrichters angegangen wurden.