Erstellung eines Modells der Kritischen Ladung zur Bewertung der Robustheit gegenüber SETs und SEUs: Fallstudie Muller C-Element

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Dieser Artikel stellt ein Modell der kritischen Ladung zur Abschätzung der Robustheit gegenüber SETs und SEUs vor. Das vorgeschlagene Modell wurde mittels SPICE Simulationen für ein Muller C-Element in 65 und 130 nm bulk CMOS Technologien erstellt. Es beschreibt, wie die zur Erzeugung eines SET/SEU Strompulses konstanter Breite benötigte kritische Ladung von Größe des C-Elements, Größe des Last-Inverters, Versorgungsspannung und Temperatur abhängt. Erste Evaluationen zeigten, dass das Modell die zur Erzeugung eines SET benötigte kritische Ladung mit vergleichbarer Genauigkeit vorhersagt wie SPICE-Simulationen. Für SEUs ergab sich eine höhere kritische Ladung, aber qualitativ blieben die Abhängigkeiten gleich wie für SETs, was den Schluss zulässt, dass der vorgestellte Ansatz für SEUs ebenso geeignet ist wie für SETs, und wohl auch für andere Technologien. Folglich kann das vorgestellte Modell die Bewertung der Robustheit von Schaltungen mit Muller C-Elementen vereinfachen, und es kann als Vorlage für die Entwicklung ähnlicher Modelle für weitere Gatter und komplexere Schaltungen dienen.