Diagnoseprüfung und Monitoring an Verbindungselementen mit Hilfe von Silizium-Dehnmessstreifen

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Mit Hilfe von MEMS-Technologien können Silizium-Dehnmessstreifen (DMS) hergestellt werden. Diese sind als Wheatstonsche-Messbrücke zur Messung von Längs- und Quereffekten ausgeführt und werden auf dünne metallische Träger über Glaslot dauerfest gefügt. Begründet durch die piezoresistiven Eigenschaften der verwendeten Siliziumorientierung, weist der Silizium-DMS in X- und Y-Richtung eine identische Empfindlichkeit auf. Der verwendete Silizium-DMS mit seiner sehr geringen Chipfläche von 500 x 500 µm, ist bis zu 50-mal empfindlicher als übliche metallische Folien-DMS.