Wafer- und Chipintegration mittels reaktiver CuO/Al Multilagensysteme
Konferenz: MikroSystemTechnik 2019 - Kongress
28.10.2019 - 30.10.2019 in Berlin, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2019
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Vogel, Klaus; Hertel, Silvia; Roscher, Frank; Wiemer, Maik (Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Chemnitz, Deutschland)
Bender, Hannes; Zimmermann, Sven (Technische Universität Chemnitz, Zentrum für Mikrotechnologien, Chemnitz, Deutschland)
Inhalt:
Das Paper stellt ein neues oxidbasiertes, integriertes reaktives Materialsystem (oiRMS) als Wärmequelle für Fügeanwendungen auf Chip- und Waferlevel vor. Aufbauend auf die Abscheidung und Strukturierung der CuO/Al-Multilagen auf 200 mm Siliziumsubstraten mittels Magnetron-Sputtern und Lift-Off-Prozessen, werden die Substrate auf Waferebene mit einem kommerziell verfügbaren, adaptierten Waferbonder gefügt. Ultraschallmikroskopische Analysen der Bondverbindung auf Waferlevel lassen für einen Schichtstapel von 18 x 80 nm CuO/Al auf eine gleichmäßige, wasserdichte Verbindung schließen. Die mechanische Bewertung der Bondverbidnungen liefert, in Abhängigkeit von den Fügepartnern, für Si-Si-Verbunde eine mittlere Scherfestigkeit von 118 N/mm2 und für Si-Glas-Verbunde eine mittlere Scherfestigkeit von 45 N/mm2.