Graphen-Elektroden für den Einsatz in Metalloxid-Dünnfilmtransistoren

Inhalt:
In Rahmen dieser Arbeit wird das Anwendungspotenzial von Graphen als transparentes Elektrodenmaterial für den Markt der flexiblen Elektronik am Beispiel von lösungsprozessierten Metalloxid-Dünnfilmtransistoren untersucht. Aufgrund der fehlenden Bandlücke ist Graphen als aktives Material in Transistorstrukturen eher ungeeignet. Graphen hat eine hohe Transparenz, eine hohe elektrische Leitfähigkeit, eine außerordentliche mechanische Stabilität und ist damit ein vielversprechendes Elektrodenmaterial. Im Rahmen dieser Arbeit, wird die Leistungsfähigkeit der Graphen-Elektroden für den Einsatz in Metalloxid-Dünnfilmtransistoren (metal-oxide thin-film transistors MOTFTs) untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass Graphen ein geeignetes Elektrodenmaterial für Dünnfilmtransistoren ist und die MOTFTs mit Graphen-Elektroden in ihrer Leistungsfähigkeit sogar denen mit konventionellen Ti/Au Metallelektroden überlegen sein können. Aufgrund seiner Sensitivität gegenüber Umgebungseinflüsse sollte mehrlagiges Graphen für reproduzierbare, stabile Ergebnisse verwendet werden.