Antiferroelektrische, eingebettete Dünnschichtkondensatoren als Energiespeicher für autarke Sensorelemente
Konferenz: MikroSystemTechnik 2019 - Kongress
28.10.2019 - 30.10.2019 in Berlin, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2019
Seiten: 2Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Czernohorsky, Malte; Weder, Andreas; Mart, Clemens; Falidas, Konstantinos; Kühnel, Kati; Viegas, Alison E.; Holland, Hans-Jürgen; Weinreich, Wenke (Fraunhofer Institut für Photonische Mikrosystems (IPMS), Königsbrücker Str. 178, 01099 Dresden, Deutschland)
Inhalt:
Antiferroelektrische Dünnschichtkondensatoren ermöglichen eine hohe Energiespeicherdichte von 400myJ/cm2. Aufgrund der geringen Aufbauhöhe lassen sie sich gemeinsam mit dem Funktionschip in ein Chip-Gehäuse einbetten. Dadurch lassen sich beispielsweise hoch kompakte, passive RFID-Sensortransponder ohne externe Kapazität realisieren.