Indiumphosphid-Resonante Tunneldioden für THz-Anwendungen
Konferenz: MikroSystemTechnik 2019 - Kongress
28.10.2019 - 30.10.2019 in Berlin, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2019
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Weimann. Nils; Arzi, Khaled; Clochiatti, Simone; Prost, Werner (Fachgebiet Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik, Universität Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Deutschland)
Inhalt:
Für entstehende mm-Wellen- und THz-Anwendungen bei Frequenzen um und über 300 GHz werden elektronische Sender mit hoher Ausgangsleistung bei gleichzeitig hoher Effizienz benötigt. Die Verwendung dieser Frequenzbänder für Kommunikations- und Radaranwendungen, sowie zur Materialerkennung wird derzeit intensiv erforscht. Resonante Tunneldioden im Indiumphosphid (InP)-Materialsystem, die als selbstresonante Fundamentaloszillatoren arbeiten, besitzen ein hohes Potential zur Leistungserzeugung und Signaldetektion bei Frequenzen um 1 THz und darüber hinaus.