Hochtemperatur-feste nanostrukturierte IR-Emitter

Konferenz: MikroSystemTechnik 2019 - Kongress
28.10.2019 - 30.10.2019 in Berlin, Deutschland

Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2019

Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF

Persönliche VDE-Mitglieder erhalten auf diesen Artikel 10% Rabatt

Autoren:
Wedrich, Karin; Müller, Lutz (TU Ilmenau, IMN MacroNano®, Gustav-Kirchhoff-Straße 7, 98693 Ilmenau, Deutschland)
Magi, André; Magi, André; Biermann, Steffen (Micro-Hybrid Electronic GmbH, Heinrich-Hertz-Straße 8, 07629 Hermsdorf, Deutschland)
Koppert, Ralf (Siegert Thinfilm Technology GmbH, Robert-Friese-Straße 3, 07629 Hermsdorf, Deutschland)
Hoffmann, Martin (Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl Mikrosystemtechnik, Universitätsstraße 150, 44801 Bochum, Deutschland)

Inhalt:
Die Kombination von nicht-periodischen Silicium-Mikrostrukturen und Platin-Nanostrukturen führt zu einer sehr gut absorbierenden Oberfläche, welche ideal als Emissionsschicht auf Infrarot-Emittern wirkt. Die Herstellung solcher Emitter wird mittels Technologien der Mikrosystemtechnik realisiert. Die Temperaturstabilität mit einer SiO2- Beschichtung wird diskutiert und mittels FTIR-Messungen bis 800 °C nachgewiesen, wobei der Emissionsgrad über einen Wellenlängenbereich von 3- 15Mikrometer bei 0,9 bis 0,97 liegt. Auch ein Langzeitbetrieb (hier bis 9000h) der Emitter ohne signifikante Änderung des Emissionsgrades konnte nachgewiesen werden.