Entwicklung einer Scherkraftmessung zur qualitativen Analyse und Optimierung von Wafer Bonding Prozessen
Konferenz: MikroSystemTechnik 2019 - Kongress
28.10.2019 - 30.10.2019 in Berlin, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2019
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Krüger, Patrick; Wietstruck, Matthias; Kissinger, Gudrun; Lisker, Marco; Krüger, Andreas; Schäffner, Jan; Silz, Heike (IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Deutschland)
Döhler, Torsten; Geißler, Ute (Technische Hochschule Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Deutschland)
Kaynak, Mehmet (IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany & Sabanci University, Electronics Engineering, 34959 Tuzla, Istanbul, Turkey)
Inhalt:
In der vorliegenden Arbeit wird gezeigt, dass Scherkraftmessungen eine hervorragende Methode zur Bewertung von Bondverbindungen darstellen. Es wird auf verschiedene Ansätze der Präperation der Messstrukturen eingegangen und deren Vor- und Nachteile beleuchtet. Die Etablierung von standardisierten Scherkraftmessstrukturen ermöglicht eine systematische Untersuchung von Wafer Bonding Prozessen und die Optimierung aller relevanten Prozesse und Bondparameter. Die so entwickelten Methoden beschränken sich nicht nur auf das PA-Fusionsbonden sondern können auf verschiedenste permanente Bondverfahren übertragen werden.