Heterointegration von III-V basierten Resonanztunneldioden-Oszillatoren/Detektoren und Heterobipolartransistor-MMICs für kompakte THz Module

Konferenz: Mikro-Nano-Integration - 9. GMM-Workshop
21.11.2022 - 22.11.2022 in Aachen, Germany

Tagungsband: GMM-Fb. 105: Mikro-Nano-Integration

Seiten: 5Sprache: DeutschTyp: PDF

Autoren:
Preuss, Christian; Kress, Robin; Mutlu, Enes; Mueller, Konrad; Possberg, Alexander; Prost, Werner; Weimann, Nils (Universität Duisburg-Essen/Lehrstuhl Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik (BHE), Germany)

Inhalt:
In dieser Arbeit werden zwei Verbindungstechniken vorgestellt, die für die Realisierung von THz-Sendemodule geeignet sind. Eine dieser Techniken stellt das Flip-Chip Bonding dar, welches uns erlaubt, kürzeste Chip-zu-Chip Übergänge zu realisieren. Dies wird nötig, je höher die übertragenen Frequenzen werden, da parasitäre Einflüsse von Bonddraht- oder anderen ausgedehnten Verbindungsleitungen mit der Frequenz stark zunehmen. Eine weitere Verbindungstechnik stellt das Kleben dar. Dabei wird hier ein spezieller THz-kompatibler Kleber verwendet, um zum Beispiel dielektrische Linsen mit einem Chip zu verbinden. Dies wird für THz-Chips benötigt, welche direkt über eine Antenne in den Freiraum strahlen, um deren Auskoppeleffizienz zu steigern.