Konzepte zur Reduktion des MoS2-Kontaktwiderstandes basierend auf großflächig gewachsenen PEALD-Filmen

Inhalt:
Bereits für einkristalline MoS2-Filme, die durch Exfoliation hergestellt und deutlich besser erforscht sind als PEALD abgeschiedene Filme, hat sich gezeigt, dass der Kontaktwiderstand ein zentrales Thema zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von elektronischen Bauelementen wie beispielsweise Transistoren ist. Die niederohmige Kontaktierung der defektreichen polykristallinen PEALD Filme ist nochmals herausfordernder und daher im Fokus dieser Studie. Dazu werden drei Arten von Kontakten präpariert und charakterisiert: a) ein direkter Metall-Halbleiter-Kontakt, b) ein Tunnelkontakt mit Polymerbarriere, c) ein Phasenwechselkontakt, der die metallische 1T-Phase des MoS2 als Verbindung zum (2H-phasigen) Halbleiterkanal nutzt.