Zerstörungsmechanismen in integrierten Schaltungen durch transiente elektromagnetische Feldimpulse kurzer Anstiegszeit

Konferenz: ANALOG '05 - 8. GMM/ITG-Diskussionssitzung: Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden
16.03.2005 - 18.03.2005 in Hannover, Deutschland

Tagungsband: ANALOG '05

Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Camp, Michael; Garbe, Heyno (Universität Hannover, Institut für Grundlagen der Elektrotechnik und Messtechnik, Appelstraße 9a, 30167 Hannover, Deutschland)

Inhalt:
Im Rahmen dieser Untersuchungen werden verschiedene mikroelektronische Schaltungen bezüglich ihrer Störfestigkeit bei Beaufschlagung mit transienten elektromagnetischen Feldimpulsen (EMP, UWB) getestet. Besonderes Augenmerk wird dabei auf den Einfluss der Schaltungstechnologie auf die Stör- und Zerstöreffekte gerichtet. Untersucht werden dazu zehn verschiedene Technologiefamilien (sechs TTL-Familien, vier CMOS-Familien). Die Analyse der Zerstörungen auf Chipebene wird mittels Rasterelektronenmikroskopie durchgeführt.