Großflächige Erzeugung nanoskaliger Punktstrukturen im Sub-100nm-Bereich durch Kantenabscheidung

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Ein wohlbekanntes Verfahren zur Herstellung von Linien im Sub-100nm-Bereich ist die Abscheidung von Schichten und deren Rückätzung. Hierzu wird lediglich eine konventionelle, optische Lithographietechnologie benötigt. Wird der Prozess zur Linienherstellung wiederholt durchgeführt und werden die in der zweiten Durchführung entstehenden Linien orthogonal zu den bereits existierenden Strukturen ausgerichtet, so wird an den Kreuzungspunkten beider Linien eine Überhöhung erreicht. Anschließend werden die Linien exakt zurückgeätzt. Auf diese Weise können Punktstrukturen erzeugt werden, deren Durchmesser weniger als 70nm und deren Höhe mehr als 150nm messen. Im Vergleich zu anderen Nanostrukturierungsverfahren wie der Elektronenstrahl-Lithographie können sämtliche Strukturen großflächig in Planartechnologie erzeugt werden. Der dazu nötige Aufwand ist aufgrund der Verwendung von Standard-Prozessen vergleichsweise gering. Zusätzlich ist eine Kompatibilität zu bisherigen Technologien, insbesondere der Silizium-Halbleitertechnologie gegeben.