Ortsselektive Atmosphärendruck-Plasmavorbehandlung für das Direkt-Wafer-Bonden bei niedrigen Temperaturen

Konferenz: Mikrosystemtechnik Kongress 2005 - Mikrosystemtechnik Kongress 2005
10.10.2005 - 12.10.2005 in Munich, Germany

Tagungsband: Mikrosystemtechnik Kongress 2005

Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Eichler, M.; Thomas, M.; Mewes, H.; Klages, C.-P. (Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Deutschland)

Inhalt:
In diesem Beitrag wird die Weiterentwicklung der dielektrischen Barrierenentladung zur Vorbehandlung von Wafern für das anschließende Bonden vorgestellt. Durch die beschriebenen Verfahren zur lokalen Behandlung von Siliziumwafern können ortsselektiv unterschiedliche Oberflächeneigenschaften erzielt werden, um damit z. B. die Bondfestigkeit lokal zu erhöhen.