Steuerbarer CMOS-Metalloxid-Gassensor
Konferenz: Mikrosystemtechnik Kongress 2005 - Mikrosystemtechnik Kongress 2005
10.10.2005 - 12.10.2005 in Munich, Germany
Tagungsband: Mikrosystemtechnik Kongress 2005
Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Wöllenstein, J.; Bauersfeld, M-L.; Moretton, E. (Fraunhofer Institut für Physikalische Messtechnik, Heidenhofstrasse 8, 79110 Freiburg, Deutschland)
Frerichs, H. P.; Willbertz, C.; Lehmann, M. (Micronas GmbH, Hans-Bunte-Strasse 19, 79108 Freiburg, Deutschland)
Doll, T. (Institut für Mikrotechnik Mainz GmbH, Carl-Zeiss-Strasse 18-20, 55129 Mainz, Deutschland)
Inhalt:
Vorgestellt wird ein neuartiger Gassensor, dessen Architektur die eines "normally on"-Dünnschichttransistors (Thin Film Transistor, TFT) mit gassensitivem Material als Kanal entspricht. Durch Anlegen einer Gate- Spannung wird die Ladungsträgerkonzentration und somit die Gassensitivität des Metalloxids verändert. Das Ergebnis ist die signifikante Änderung der NO2-Sensistivität in Abhängigkeit von der angelegten Gate- Spannung, was eine Unterscheidung verschiedener Gase ermöglicht.