SiGe80G: Atmels nächste SiGe-Generation

Konferenz: VDE-Kongress 2006 - Innovations for Europe - Fachtagungsberichte der ITG/BMBF - GMM - ETG - GMA - DGBMT
23.10.2006 - 25.10.2006 in Aachen, Deutschland

Tagungsband: VDE-Kongress 2006

Seiten: 8Sprache: DeutschTyp: PDF

Persönliche VDE-Mitglieder erhalten auf diesen Artikel 10% Rabatt

Autoren:
Höhnemann, Holger (Atmel Germany GmbH, Sebastien Chartier, Universität Ulm)

Inhalt:
Im KOKON-Projekt ist Atmel als ein Technologiepartner beteiligt. Die spezielle Aufgabe von Atmel besteht darin, eine Technologie für Höchstfrequenzanwendungen zu entwickeln und damit Demonstratoren für ein 79 GHz Nahbereichsradar zur weiteren Bearbeitung innerhalb des KOKON-Projektes zur Verfügung zu stellen. Unter dem Projektnamen SiGe80G wird dabei ein neuer Bipolar-SiGe-Prozess entwickelt, der für Anwendungen bis hin zu 80 GHz Arbeitsfrequenz geeignet ist. Der Transistor selbst soll sowohl bei der Grenzfrequenz fT als auch bei der maximalen Schwingfrequqenz fMax Werte über 150 GHz aufweisen. Hierbei soll die Kollektor- Emitter-Duchbruchspannung BVCE0 nicht unter 2 V abfallen.